Taiwan Semiconductor Corporation - S12MCHR7G

KEY Part #: K6434257

S12MCHR7G Cenas (USD) [382234gab krājumi]

  • 1 pcs$0.09677

Daļas numurs:
S12MCHR7G
Ražotājs:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB. Rectifiers 12A, 1000V, SMD RECTIFIER
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - DIAC, SIDAC, Tiristori - SCR, Tranzistori - JFET, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Diodes - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - programmējams atvienojums and Diodes - taisngrieži - vienreizēji ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S12MCHR7G electronic components. S12MCHR7G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S12MCHR7G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S12MCHR7G Produkta atribūti

Daļas numurs : S12MCHR7G
Ražotājs : Taiwan Semiconductor Corporation
Apraksts : DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 1000V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 12A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 12A
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : -
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 1µA @ 1000V
Kapacitāte @ Vr, F : 78pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : DO-214AB, SMC
Piegādātāja ierīces pakete : DO-214AB (SMC)
Darba temperatūra - krustojums : -55°C ~ 150°C

Jūs varētu arī interesēt
  • VS-HFA04SD60SHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4 Amp 600 Volt

  • VS-HFA08SD60SL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-8EWS16STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-HFA08SD60SR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-8EWF04STRR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWS12STRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3