Vishay Semiconductor Diodes Division - EGP31F-E3/D

KEY Part #: K6440233

EGP31F-E3/D Cenas (USD) [247410gab krājumi]

  • 1 pcs$0.14950

Daļas numurs:
EGP31F-E3/D
Ražotājs:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD. Rectifiers 3A,300V,50NS
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - JFET, Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - programmējams atvienojums and Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGP31F-E3/D electronic components. EGP31F-E3/D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGP31F-E3/D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGP31F-E3/D Produkta atribūti

Daļas numurs : EGP31F-E3/D
Ražotājs : Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts : DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
Sērija : SUPERECTIFIER®
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 300V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 3A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 3A
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 50ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 3µA @ 300V
Kapacitāte @ Vr, F : 48pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips : Through Hole
Iepakojums / lieta : DO-201AD, Axial
Piegādātāja ierīces pakete : DO-201AD
Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 175°C

Jūs varētu arī interesēt
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • BYM07-200/32

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

  • VS-HFA04TB60SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK.

  • UH2DHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,200V,25ns, SMB Planar FER RECT, SMD

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD