BAQ333-TR Cenas (USD) [1626459gab krājumi]
- 1 pcs$0.02400
- 2,500 pcs$0.02388
- 5,000 pcs$0.02076
- 12,500 pcs$0.01765
- 25,000 pcs$0.01661
- 62,500 pcs$0.01557
- 125,000 pcs$0.01384
- Daļas numurs:
- BAQ333-TR
- Ražotājs:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GP 40V 200MA MICROMELF. Diodes - General Purpose, Power, Switching 40 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - taisngrieži - masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tiristori - SCR - moduļi and Tranzistori - IGBT - moduļi ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAQ333-TR electronic components. BAQ333-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAQ333-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAQ333-TR Produkta atribūti
Daļas numurs :
BAQ333-TR
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
DIODE GP 40V 200MA MICROMELF
Sērija :
-
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
40V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
200mA
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1V @ 100mA
Ātrums :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
-
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
1nA @ 15V
Kapacitāte @ Vr, F :
3pF @ 0V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
2-SMD, No Lead
Piegādātāja ierīces pakete :
MicroMELF
Darba temperatūra - krustojums :
175°C (Max)
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
RURD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V
-
BAS116E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
MBRB40250TG
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 250V 40A D2PAK. Schottky Diodes & Rectifiers REC D2PAK 40A 250V SHOTTKY
-
VS-50WQ04FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
SD103AW-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM
-
SD103BW-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 350MA 30V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 30Volt 15A IFSM
Karstās daļas
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR