GeneSiC Semiconductor - 1N5831R

KEY Part #: K6425091

1N5831R Cenas (USD) [6771gab krājumi]

  • 1 pcs$6.08538
  • 100 pcs$5.79996

Daļas numurs:
1N5831R
Ražotājs:
GeneSiC Semiconductor
Detalizēts apraksts:
DIODE SCHOTTKY REV 35V DO4. Schottky Diodes & Rectifiers 35V - 25A Schottky Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - SCR, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Diodes - Zener - masīvi and Tiristori - TRIAC ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N5831R electronic components. 1N5831R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5831R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5831R Produkta atribūti

Daļas numurs : 1N5831R
Ražotājs : GeneSiC Semiconductor
Apraksts : DIODE SCHOTTKY REV 35V DO4
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Schottky, Reverse Polarity
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 35V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 25A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 580mV @ 25A
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : -
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 2mA @ 20V
Kapacitāte @ Vr, F : -
Montāžas tips : Chassis, Stud Mount
Iepakojums / lieta : DO-203AA, DO-4, Stud
Piegādātāja ierīces pakete : DO-4
Darba temperatūra - krustojums : -55°C ~ 150°C
Jūs varētu arī interesēt
  • BAS40E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • BAS40E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A

  • LXA06B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr

  • QH05BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier

  • QH08BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier

  • VS-18TQ045SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 18A D2PAK.