RS1JL RVG Cenas (USD) [1467002gab krājumi]
- 1 pcs$0.02521
- Daļas numurs:
- RS1JL RVG
- Ražotājs:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA. Rectifiers 250ns 0.8A 600V Fs Recov Rectifier
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tiristori - SCR - moduļi, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tiristori - SCR and Tranzistori - JFET ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation RS1JL RVG electronic components. RS1JL RVG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1JL RVG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RS1JL RVG Produkta atribūti
Daļas numurs :
RS1JL RVG
Ražotājs :
Taiwan Semiconductor Corporation
Apraksts :
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Sērija :
-
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
600V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
800mA
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.3V @ 800mA
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
250ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
5µA @ 600V
Kapacitāte @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
DO-219AB
Piegādātāja ierīces pakete :
Sub SMA
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 150°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
C3D03060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 3A
-
MMBD1401
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
-
BAS20
ON Semiconductor
DIODE GP 200V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching SOT23 200mA 150V 50n s
-
-
Karstās daļas
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08