Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B1G0846I-BMMA

Samsung Semiconductor - K4B1G0846I-BMMA

KEY Part #: K7359635

[14414gab krājumi]

    Daļas numurs:
    K4B1G0846I-BMMA
    Ražotājs:
    Samsung Semiconductor
    Detalizēts apraksts:
    1 Gb 128M x 8 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: GDDR6, GDDR5, LPDDR5, LPDDR4, LPDDR4X, LPDDR3, HBM Flarebolt and MODULE ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B1G0846I-BMMA electronic components. K4B1G0846I-BMMA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B1G0846I-BMMA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B1G0846I-BMMA Produkta atribūti

    Daļas numurs : K4B1G0846I-BMMA
    Ražotājs : Samsung Semiconductor
    Apraksts : 1 Gb 128M x 8 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production
    Sērija : DDR3
    blīvums : 1 Gb
    Org. : 128M x 8
    ātrums : 1600 Mbps
    spriegums : 1.35 V
    Temp. : -40 ~ 95 °C
    paka : 78FBGA
    Preces statuss : Mass Production

    Jaunākās ziņas

    Samsung Z-SSD SZ985
    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification
    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    How Will 5G Impact on Memory?
    Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day
    Unlocking the Power of Cloud Computing
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    The future of NAND technology
    Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering
    Jūs varētu arī interesēt
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    Karstās daļas