Diodes Incorporated - DMN90H8D5HCT

KEY Part #: K6397850

DMN90H8D5HCT Cenas (USD) [67768gab krājumi]

  • 1 pcs$0.54771
  • 50 pcs$0.43783
  • 100 pcs$0.38311
  • 500 pcs$0.28104
  • 1,000 pcs$0.22188

Daļas numurs:
DMN90H8D5HCT
Ražotājs:
Diodes Incorporated
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - JFET, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tiristori - TRIAC, Tiristori - DIAC, SIDAC, Diodes - Zener - masīvi and Tranzistori - īpašam nolūkam ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Diodes Incorporated DMN90H8D5HCT electronic components. DMN90H8D5HCT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN90H8D5HCT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN90H8D5HCT Produkta atribūti

Daļas numurs : DMN90H8D5HCT
Ražotājs : Diodes Incorporated
Apraksts : MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB
Sērija : -
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 900V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 2.5A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 5V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 7.9nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±30V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 470pF @ 25V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 125W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete : TO-220AB
Iepakojums / lieta : TO-220-3

Jūs varētu arī interesēt
  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • TK380A60Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS.

  • TK72A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 72A TO-220.

  • TK14A65W5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220.