Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi
  5. APTM120DA30CT1G

Microsemi Corporation - APTM120DA30CT1G

KEY Part #: K6403799

APTM120DA30CT1G Cenas (USD) [2233gab krājumi]

  • 100 pcs$25.45625
Daļas numurs:
APTM120DA30CT1G
Ražotājs:
Microsemi Corporation
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - SCR - moduļi, Strāvas draivera moduļi, Diodes - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - IGBT - moduļi, Diodes - tilta taisngrieži and Tiristori - TRIAC ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Microsemi Corporation APTM120DA30CT1G electronic components. APTM120DA30CT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120DA30CT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM120DA30CT1G Produkta atribūti

Daļas numurs : APTM120DA30CT1G
Ražotājs : Microsemi Corporation
Apraksts : MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Sērija : POWER MOS 8™
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 1200V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 31A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 5V @ 2.5mA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 560nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±30V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 14560pF @ 25V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 657W (Tc)
Darbības temperatūra : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Chassis Mount
Piegādātāja ierīces pakete : SP1
Iepakojums / lieta : SP1

Jaunākās ziņas

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Jūs varētu arī interesēt
  • AUIRFZ24NS

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK.

  • AUIRFR8405

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • AUIRFR8403

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • AUIRFR8401

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • SSM3K7002BF,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI.

  • SSM3J14TTE85LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM.

Karstās daļas