IXYS - IXTY2N100P

KEY Part #: K6417896

IXTY2N100P Cenas (USD) [45069gab krājumi]

  • 1 pcs$1.00270
  • 70 pcs$0.99771

Daļas numurs:
IXTY2N100P
Ražotājs:
IXYS
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - JFET, Tranzistori - īpašam nolūkam, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tiristori - SCR - moduļi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tiristori - TRIAC, Tiristori - DIAC, SIDAC and Diodes - taisngrieži - masīvi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in IXYS IXTY2N100P electronic components. IXTY2N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY2N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTY2N100P Produkta atribūti

Daļas numurs : IXTY2N100P
Ražotājs : IXYS
Apraksts : MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252
Sērija : Polar™
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 1000V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 2A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4.5V @ 100µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 24.3nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 655pF @ 25V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 86W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : TO-252, (D-Pak)
Iepakojums / lieta : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Jūs varētu arī interesēt
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.