Vishay Siliconix - SI7370DP-T1-E3

KEY Part #: K6419083

SI7370DP-T1-E3 Cenas (USD) [90621gab krājumi]

  • 1 pcs$0.43148
  • 3,000 pcs$0.34417

Daļas numurs:
SI7370DP-T1-E3
Ražotājs:
Vishay Siliconix
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Diodes - taisngrieži - masīvi, Diodes - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tiristori - SCR, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF and Diodes - taisngrieži - vienreizēji ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Siliconix SI7370DP-T1-E3 electronic components. SI7370DP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7370DP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7370DP-T1-E3 Produkta atribūti

Daļas numurs : SI7370DP-T1-E3
Ražotājs : Vishay Siliconix
Apraksts : MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Sērija : TrenchFET®
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 60V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 9.6A (Ta)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 57nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 1.9W (Ta)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : PowerPAK® SO-8
Iepakojums / lieta : PowerPAK® SO-8

Jūs varētu arī interesēt