ON Semiconductor - NVMFD5875NLT1G

KEY Part #: K6522697

NVMFD5875NLT1G Cenas (USD) [180797gab krājumi]

  • 1 pcs$0.20458
  • 1,500 pcs$0.18598

Daļas numurs:
NVMFD5875NLT1G
Ražotājs:
ON Semiconductor
Detalizēts apraksts:
MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - SCR - moduļi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Strāvas draivera moduļi, Tranzistori - JFET, Diodes - taisngrieži - vienreizēji and Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in ON Semiconductor NVMFD5875NLT1G electronic components. NVMFD5875NLT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFD5875NLT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFD5875NLT1G Produkta atribūti

Daļas numurs : NVMFD5875NLT1G
Ražotājs : ON Semiconductor
Apraksts : MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
Sērija : -
Daļas statuss : Active
FET tips : 2 N-Channel (Dual)
FET iezīme : Logic Level Gate
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 60V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 3V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 20nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 25V
Jauda - maks : 3.2W
Darbības temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : 8-PowerTDFN
Piegādātāja ierīces pakete : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)