[22010gab krājumi]
- Daļas numurs:
- K4G80325FB-HC25
- Ražotājs:
- Samsung Semiconductor
- Detalizēts apraksts:
- 8 Gb 256M x 32 8.0 Gbps 16K / 32 ms 170FBGA Mass Production.
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: LPDDR4X, HBM Flarebolt, GDDR5, LPDDR5, DDR3, MODULE, SLC Nand and LPDDR4 ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Samsung Semiconductor K4G80325FB-HC25 electronic components. K4G80325FB-HC25 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4G80325FB-HC25, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
K4G80325FB-HC25 Produkta atribūti
Daļas numurs :
K4G80325FB-HC25
Ražotājs :
Samsung Semiconductor
Apraksts :
8 Gb 256M x 32 8.0 Gbps 16K / 32 ms 170FBGA Mass Production
Sērija :
DDR3
blīvums :
8 Gb
Org. :
256M x 32
ātrums :
8.0 Gbps
atjaunot :
16K / 32 ms
paka :
170FBGA
Preces statuss :
Mass Production
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
M378A1K43BB1-CPB
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.
-
M378A1K43BB2-CRC
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.
-
M378A1K43BB2-CTD
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.
-
M378A1K43CB2-CPB
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.
-
M378A1K43CB2-CRC
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.
-
M378A1K43CB2-CTD
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.