Infineon Technologies - FZ600R12KE4HOSA1

KEY Part #: K6534449

FZ600R12KE4HOSA1 Cenas (USD) [762gab krājumi]

  • 1 pcs$60.89656

Daļas numurs:
FZ600R12KE4HOSA1
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
MOD IGBT MED PWR 62MM-2.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - JFET, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tranzistori - IGBT - moduļi, Strāvas draivera moduļi and Tranzistori - FET, MOSFET - RF ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies FZ600R12KE4HOSA1 electronic components. FZ600R12KE4HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FZ600R12KE4HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FZ600R12KE4HOSA1 Produkta atribūti

Daļas numurs : FZ600R12KE4HOSA1
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : MOD IGBT MED PWR 62MM-2
Sērija : -
Daļas statuss : Active
IGBT tips : -
Konfigurācija : Single
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 1200V
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : 600A
Jauda - maks : 3000W
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 600A
Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : 5mA
Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : 1.7nF @ 25V
Ievade : Standard
NTC termistors : No
Darbības temperatūra : -40°C ~ 125°C
Montāžas tips : Chassis Mount
Iepakojums / lieta : Module
Piegādātāja ierīces pakete : Module

Jūs varētu arī interesēt
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • STGE50NC60VD

    STMicroelectronics

    IGBT 50A 600V ISOTOP.