BYG23MHE3_A/I Cenas (USD) [610930gab krājumi]
- 1 pcs$0.06054
- 7,500 pcs$0.05536
- Daļas numurs:
- BYG23MHE3_A/I
- Ražotājs:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detalizēts apraksts:
- DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC. Rectifiers 1.5A,1000V,75nS AVAL AEC-Q101 Qualified
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - JFET, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi and Tranzistori - FET, MOSFET - RF ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG23MHE3_A/I electronic components. BYG23MHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG23MHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYG23MHE3_A/I Produkta atribūti
Daļas numurs :
BYG23MHE3_A/I
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Sērija :
Automotive, AEC-Q101
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Avalanche
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
1000V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
1.5A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 1A
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
75ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
5µA @ 1000V
Kapacitāte @ Vr, F :
-
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
DO-214AC, SMA
Piegādātāja ierīces pakete :
DO-214AC (SMA)
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 150°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
VS-6EWL06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast
-
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
-
BYG22D-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,200V,25nS UF Fast Avalanche,SMD
-
BYG22B-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,100V,25nS UF Fast Avalanche,SMD
-
BYG24D-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 200V 1.5A. Rectifiers 1.5A,200V,140nS Fast Avalanche,SMD
-
BYG10K-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 800V 1.5A. Rectifiers 1.5A,800V VGSC-STD Avalanche SMD
Karstās daļas
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08