Daļas numurs :
SIA430DJT-T4-GE3
Ražotājs :
Vishay Siliconix
Apraksts :
MOSFET N-CH 20V 12A SC-70-6
Tehnoloģijas :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) :
20V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C :
12A (Ta), 12A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.5 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID :
3V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs :
18nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds :
800pF @ 10V
Jaudas izkliede (maks.) :
3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Darbības temperatūra :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips :
Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete :
PowerPAK® SC-70-6 Single
Iepakojums / lieta :
PowerPAK® SC-70-6