Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Diodes - taisngrieži - vienreizēji
  5. JAN1N5802US

Microsemi Corporation - JAN1N5802US

KEY Part #: K6426959

JAN1N5802US Cenas (USD) [7195gab krājumi]

  • 1 pcs$5.72756
  • 100 pcs$5.14244
Daļas numurs:
JAN1N5802US
Ražotājs:
Microsemi Corporation
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A. ESD Suppressors / TVS Diodes DIODE 1A 50V TRR 25NS
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tiristori - SCR, Tiristori - DIAC, SIDAC, Diodes - Zener - masīvi, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi and Tiristori - SCR - moduļi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5802US electronic components. JAN1N5802US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5802US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5802US Produkta atribūti

Daļas numurs : JAN1N5802US
Ražotājs : Microsemi Corporation
Apraksts : DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A
Sērija : Military, MIL-PRF-19500/477
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 50V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 2.5A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 975mV @ 2.5A
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 25ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 1µA @ 50V
Kapacitāte @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : SQ-MELF, A
Piegādātāja ierīces pakete : D-5A
Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 175°C

Jaunākās ziņas

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Jūs varētu arī interesēt
  • V20PWM45HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V20PW60-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 20A If(AV)

  • V35PWM10-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • V35PW15-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 150V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • VFT5200-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 5A 200V ITO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 5A,200V,TRENCH SKY RECT.

  • V30120SG-M3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A 120V Schottky TrenchMOS

Karstās daļas