Microsemi Corporation - APTGT100A1202G

KEY Part #: K6533670

Ģimenes kategorijas:: KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - IGBT - moduļi, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tiristori - SCR and Diodes - Zener - Single ...

Konkurences priekšrocības:: We specialize in Microsemi Corporation APTGT100A1202G electronic components. APTGT100A1202G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT100A1202G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Daļas numurs : APTGT100A1202G

Ražotājs : Microsemi Corporation

Apraksts : MOD IGBT 1200V 140A SP2

Sērija : -

Daļas statuss : Obsolete

IGBT tips : Trench Field Stop

Konfigurācija : Half Bridge

Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 1200V

Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : 140A

Jauda - maks : 480W

Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 100A

Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : 50µA

Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : 7.2nF @ 25V

Ievade : Standard

NTC termistors : No

Darbības temperatūra : -40°C ~ 150°C (TJ)

Montāžas tips : Through Hole

Iepakojums / lieta : SP2

Piegādātāja ierīces pakete : SP2

Jūs varētu arī interesēt

VS-GT175DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.
VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 184A 577W SOT-227.
VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.

Karstās daļas