Infineon Technologies - FZ1200R17HP4HOSA2

KEY Part #: K6533608

FZ1200R17HP4HOSA2 Cenas (USD) [142gab krājumi]

  • 1 pcs$326.00658

Daļas numurs:
FZ1200R17HP4HOSA2
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
MODULE IGBT IHMB130-2.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - tilta taisngrieži, Tranzistori - īpašam nolūkam, Strāvas draivera moduļi, Tiristori - TRIAC, Diodes - taisngrieži - masīvi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Diodes - taisngrieži - vienreizēji and Tranzistori - IGBT - vienvietīgi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies FZ1200R17HP4HOSA2 electronic components. FZ1200R17HP4HOSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FZ1200R17HP4HOSA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FZ1200R17HP4HOSA2 Produkta atribūti

Daļas numurs : FZ1200R17HP4HOSA2
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : MODULE IGBT IHMB130-2
Sērija : -
Daļas statuss : Active
IGBT tips : Trench
Konfigurācija : Single Switch
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 1700V
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : 1200A
Jauda - maks : 7800W
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 2.25V @ 15V, 1200A
Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : 5mA
Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : 97nF @ 25V
Ievade : Standard
NTC termistors : No
Darbības temperatūra : -40°C ~ 150°C
Montāžas tips : Chassis Mount
Iepakojums / lieta : Module
Piegādātāja ierīces pakete : Module

Jūs varētu arī interesēt
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

  • VS-GT100DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.