Daļas numurs :
SIHB12N50E-GE3
Ražotājs :
Vishay Siliconix
Apraksts :
MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263
Tehnoloģijas :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) :
500V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C :
10.5A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID :
4V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs :
50nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds :
886pF @ 100V
Jaudas izkliede (maks.) :
114W (Tc)
Darbības temperatūra :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips :
Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete :
D²PAK (TO-263)
Iepakojums / lieta :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB