GeneSiC Semiconductor - GA20JT12-247

KEY Part #: K6404174

Ģimenes kategorijas:: KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tiristori - TRIAC, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Diodes - taisngrieži - vienreizēji and Tiristori - SCR - moduļi ...

Konkurences priekšrocības:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GA20JT12-247 electronic components. GA20JT12-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA20JT12-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Daļas numurs : GA20JT12-247

Ražotājs : GeneSiC Semiconductor

Apraksts : TRANS SJT 1.2KV 20A

Sērija : -

Daļas statuss : Obsolete

FET tips : -

Tehnoloģijas : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 1200V

Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)

Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 20A

Vgs (th) (Maks.) @ ID : -

Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : -

VG (maksimāli) : -

Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET iezīme : -

Jaudas izkliede (maks.) : 282W (Tc)

Darbības temperatūra : 175°C (TJ)

Montāžas tips : Through Hole

Piegādātāja ierīces pakete : TO-247AB

Iepakojums / lieta : TO-247-3

Jūs varētu arī interesēt

NP60N055VUK-E1-AY

Renesas Electronics America

MOSFET N-CH 55V 60A TO-252.
NP60N04VUK-E1-AY

Renesas Electronics America

MOSFET N-CH 40V 60A TO-252.
AUIRLR024Z

Infineon Technologies

MOSFET N CH 55V 16A DPAK.
AUIRFR4292

Infineon Technologies

MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.
IRFR7440PBF

Infineon Technologies

MOSFET N CH 40V 90A DPAK.
TK16A60W5,S4VX

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.

Karstās daļas