SMC Diode Solutions - SICRF101200

KEY Part #: K6441024

Ģimenes kategorijas:: KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - JFET, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Diodes - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tiristori - SCR, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi and Tranzistori - IGBT - Masīvi ...

Konkurences priekšrocības:: We specialize in SMC Diode Solutions SICRF101200 electronic components. SICRF101200 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SICRF101200, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Daļas numurs : SICRF101200

Ražotājs : SMC Diode Solutions

Apraksts : DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

Sērija : -

Daļas statuss : Active

Diodes tips : Silicon Carbide Schottky

Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 1200V

Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 10A

Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 10A

Ātrums : No Recovery Time > 500mA (Io)

Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 0ns

Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 100µA @ 1200V

Kapacitāte @ Vr, F : 640pF @ 0V, 1MHz

Montāžas tips : Through Hole

Iepakojums / lieta : TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

Piegādātāja ierīces pakete : ITO-220AC

Darba temperatūra - krustojums : -55°C ~ 175°C

Jūs varētu arī interesēt

RURD420S9A_T

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.
IDB10S60CATMA2

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK.
VS-8EWF04S-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3
VS-MURB1520TRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 15A D2PAK.
VS-20ETS08STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.
VS-20ETS12STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK.

Karstās daļas