Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. DRAM
  4. LPDDR4
  5. K4F6E3S4HM-GFCL

Samsung Semiconductor - K4F6E3S4HM-GFCL

KEY Part #: K7359766

[17994gab krājumi]

    Daļas numurs:
    K4F6E3S4HM-GFCL
    Ražotājs:
    Samsung Semiconductor
    Detalizēts apraksts:
    16 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: LPDDR4, GDDR6, GDDR5, SLC Nand, LPDDR3, LPDDR4X, LPDDR5 and HBM Flarebolt ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4F6E3S4HM-GFCL electronic components. K4F6E3S4HM-GFCL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4F6E3S4HM-GFCL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4F6E3S4HM-GFCL Produkta atribūti

    Daļas numurs : K4F6E3S4HM-GFCL
    Ražotājs : Samsung Semiconductor
    Apraksts : 16 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production
    Sērija : DDR3
    blīvums : 16 Gb
    Org. : x32
    ātrums : 4266 Mbps
    spriegums : 1.8 / 1.1 / 1.1 V
    Temp. : -40 ~ 95 °C
    paka : 200FBGA
    Preces statuss : Mass Production

    Jaunākās ziņas

    The Ultra-Low Latency SSD, Z-SSD
    [Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.
    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    How Will 5G Impact on Memory?
    Samsung Memory Solutions for Automotive
    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones
    Samsung’s Newest ISOCELL Image Sensor Enables Mobile Devices to ‘Slow Down’ Time
    Samsung Z-SSD SZ985
    Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology
    Inside the building blocks of the 5G future
    Jūs varētu arī interesēt
    • M392A2K43BB0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A2K43BB0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2133 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2400 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    Karstās daļas