Microsemi Corporation - APTC60HM35T3G

KEY Part #: K6522658

APTC60HM35T3G Cenas (USD) [1310gab krājumi]

  • 1 pcs$33.05293

Daļas numurs:
APTC60HM35T3G
Ražotājs:
Microsemi Corporation
Detalizēts apraksts:
MOSFET 4N-CH 600V 72A SP3.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Diodes - taisngrieži - masīvi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF and Tiristori - TRIAC ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Microsemi Corporation APTC60HM35T3G electronic components. APTC60HM35T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTC60HM35T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTC60HM35T3G Produkta atribūti

Daļas numurs : APTC60HM35T3G
Ražotājs : Microsemi Corporation
Apraksts : MOSFET 4N-CH 600V 72A SP3
Sērija : -
Daļas statuss : Active
FET tips : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET iezīme : Standard
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 600V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 72A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 72A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 3.9V @ 5.4mA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 518nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 14000pF @ 25V
Jauda - maks : 416W
Darbības temperatūra : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Chassis Mount
Iepakojums / lieta : SP3
Piegādātāja ierīces pakete : SP3