Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi
  5. EPC2105ENG

EPC - EPC2105ENG

KEY Part #: K6523724

[4069gab krājumi]

    Daļas numurs:
    EPC2105ENG
    Ražotājs:
    EPC
    Detalizēts apraksts:
    GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - īpašam nolūkam, Diodes - tilta taisngrieži, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - JFET, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Diodes - Zener - Single and Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in EPC EPC2105ENG electronic components. EPC2105ENG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2105ENG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EPC2105ENG Produkta atribūti

    Daļas numurs : EPC2105ENG
    Ražotājs : EPC
    Apraksts : GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
    Sērija : eGaN®
    Daļas statuss : Discontinued at Digi-Key
    FET tips : 2 N-Channel (Half Bridge)
    FET iezīme : GaNFET (Gallium Nitride)
    Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 80V
    Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 9.5A, 38A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 20A, 5V
    Vgs (th) (Maks.) @ ID : 2.5V @ 2.5mA
    Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 2.5nC @ 5V
    Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 40V
    Jauda - maks : -
    Darbības temperatūra : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Montāžas tips : Surface Mount
    Iepakojums / lieta : Die
    Piegādātāja ierīces pakete : Die
    Jūs varētu arī interesēt
    • PMGD175XN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP.

    • STC6NF30V

      STMicroelectronics

      MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP.

    • AO8822#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

    • AO8814#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP.

    • AO8810#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

    • AO8804_100

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V.

    Karstās daļas