Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Diodes - taisngrieži - vienreizēji
  5. JANTXV1N6641US

Microsemi Corporation - JANTXV1N6641US

KEY Part #: K6430818

JANTXV1N6641US Cenas (USD) [5618gab krājumi]

  • 1 pcs$7.37125
  • 113 pcs$7.33457
Daļas numurs:
JANTXV1N6641US
Ražotājs:
Microsemi Corporation
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 50V 300MA D-MELF. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - JFET, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no and Tranzistori - FET, MOSFET - RF ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6641US electronic components. JANTXV1N6641US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6641US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N6641US Produkta atribūti

Daļas numurs : JANTXV1N6641US
Ražotājs : Microsemi Corporation
Apraksts : DIODE GEN PURP 50V 300MA D-MELF
Sērija : Military, MIL-PRF-19500/609
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 50V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 300mA
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 200mA
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 5ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 100nA @ 50V
Kapacitāte @ Vr, F : -
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : SQ-MELF, D
Piegādātāja ierīces pakete : D-5D
Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 175°C

Jaunākās ziņas

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Jūs varētu arī interesēt
  • SR10200-G

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220-3. Schottky Diodes & Rectifiers VR=200V, IO=10A

  • SR10150-G

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 150V 10A ITO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers VR=150V, IO=10A

  • SS5P6HM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 5A,60V,SM SKY RECT.

  • AS3PM-M3/86A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 1KV 2.1A TO277. Rectifiers 3A 1000V

  • V8P12HM3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 8A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 8A, 120V, SMPC, TRENCH SKY RECT.

  • SS12P3LHM3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 12A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 12A,30V,SM SKY RECT.

Karstās daļas