Taiwan Semiconductor Corporation - SS22L MHG

KEY Part #: K6437477

SS22L MHG Cenas (USD) [1425630gab krājumi]

  • 1 pcs$0.02594

Daļas numurs:
SS22L MHG
Ražotājs:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detalizēts apraksts:
DIODE SCHOTTKY 20V 2A SUB SMA.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - JFET, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tiristori - TRIAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - īpašam nolūkam, Strāvas draivera moduļi and Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation SS22L MHG electronic components. SS22L MHG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SS22L MHG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SS22L MHG Produkta atribūti

Daļas numurs : SS22L MHG
Ražotājs : Taiwan Semiconductor Corporation
Apraksts : DIODE SCHOTTKY 20V 2A SUB SMA
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Schottky
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 20V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 2A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 500mV @ 2A
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : -
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 400µA @ 20V
Kapacitāte @ Vr, F : -
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : DO-219AB
Piegādātāja ierīces pakete : Sub SMA
Darba temperatūra - krustojums : -55°C ~ 150°C

Jūs varētu arī interesēt
  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • NSB8JT-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8KT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB. Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8MT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3

  • MBRB10H100-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM