Vishay Semiconductor Diodes Division - GP10-4006E-E3/54

KEY Part #: K6458157

GP10-4006E-E3/54 Cenas (USD) [916157gab krājumi]

  • 1 pcs$0.04037

Daļas numurs:
GP10-4006E-E3/54
Ražotājs:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL. Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - Zener - Single, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Strāvas draivera moduļi and Tranzistori - FET, MOSFET - RF ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GP10-4006E-E3/54 electronic components. GP10-4006E-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP10-4006E-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GP10-4006E-E3/54 Produkta atribūti

Daļas numurs : GP10-4006E-E3/54
Ražotājs : Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts : DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 800V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 1A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : -
Ātrums : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : -
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : -
Kapacitāte @ Vr, F : -
Montāžas tips : Through Hole
Iepakojums / lieta : DO-204AL, DO-41, Axial
Piegādātāja ierīces pakete : DO-204AL (DO-41)
Darba temperatūra - krustojums : -

Jūs varētu arī interesēt
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE30AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 200V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFJ-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in