Infineon Technologies - BSB015N04NX3GXUMA1

KEY Part #: K6418382

BSB015N04NX3GXUMA1 Cenas (USD) [61160gab krājumi]

  • 1 pcs$0.63931

Daļas numurs:
BSB015N04NX3GXUMA1
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - programmējams atvienojums, Diodes - taisngrieži - vienreizēji and Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies BSB015N04NX3GXUMA1 electronic components. BSB015N04NX3GXUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSB015N04NX3GXUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSB015N04NX3GXUMA1 Produkta atribūti

Daļas numurs : BSB015N04NX3GXUMA1
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
Sērija : OptiMOS™
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 40V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 36A (Ta), 180A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 142nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 12000pF @ 20V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Darbības temperatūra : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : MG-WDSON-2, CanPAK M™
Iepakojums / lieta : 3-WDSON

Jūs varētu arī interesēt
  • TK5A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS.

  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.