Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Diodes - taisngrieži - vienreizēji
  5. JANTX1N5417US

Microsemi Corporation - JANTX1N5417US

KEY Part #: K6429982

JANTX1N5417US Cenas (USD) [4233gab krājumi]

  • 1 pcs$10.23430
  • 100 pcs$7.32633
Daļas numurs:
JANTX1N5417US
Ražotājs:
Microsemi Corporation
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 200V 3A D5B. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tiristori - TRIAC, Diodes - taisngrieži - masīvi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - programmējams atvienojums and Tranzistori - JFET ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N5417US electronic components. JANTX1N5417US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N5417US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N5417US Produkta atribūti

Daļas numurs : JANTX1N5417US
Ražotājs : Microsemi Corporation
Apraksts : DIODE GEN PURP 200V 3A D5B
Sērija : Military, MIL-PRF-19500/411
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 200V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 3A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 9A
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 150ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 1µA @ 200V
Kapacitāte @ Vr, F : -
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : SQ-MELF, B
Piegādātāja ierīces pakete : D-5B
Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 175°C

Jaunākās ziņas

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Jūs varētu arī interesēt
  • SICRD5650TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.

  • AS4PDHM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A. Rectifiers 4A,200V, SMPC,STD, Avalanche SM

  • V15PL50-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 50V 6A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 15A,50V,TRENCH SKY RECT.

  • V12P8HM3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 80V 12A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers TMBS 80V Vrrm eSMP AEC-Q101 Qualified

  • AS4PD-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A. Rectifiers 4A,200V,STD, Avalanche SM

  • SS10P3HM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10A,30V,SM SKY RECT.

Karstās daļas