Daļas numurs :
SI4816DY-T1-GE3
Ražotājs :
Vishay Siliconix
Apraksts :
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
FET tips :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET iezīme :
Logic Level Gate
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) :
30V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C :
5.3A, 7.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID :
2V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs :
12nC @ 5V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Darbības temperatūra :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Piegādātāja ierīces pakete :
8-SO