Daļas numurs :
TPW4R50ANH,L1Q
Ražotājs :
Toshiba Semiconductor and Storage
Apraksts :
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
Tehnoloģijas :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) :
100V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C :
92A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID :
4V @ 1mA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs :
58nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds :
5200pF @ 50V
Jaudas izkliede (maks.) :
800mW (Ta), 142W (Tc)
Darbības temperatūra :
150°C (TJ)
Montāžas tips :
Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete :
8-DSOP Advance
Iepakojums / lieta :
8-PowerVDFN