Infineon Technologies - PSDC312E8427618NOSA1

KEY Part #: K6532647

PSDC312E8427618NOSA1 Cenas (USD) [21gab krājumi]

  • 1 pcs$1667.34348

Daļas numurs:
PSDC312E8427618NOSA1
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
MOD IGBT STACK PSAO-1.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - īpašam nolūkam, Diodes - RF and Diodes - Zener - masīvi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies PSDC312E8427618NOSA1 electronic components. PSDC312E8427618NOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSDC312E8427618NOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSDC312E8427618NOSA1 Produkta atribūti

Daļas numurs : PSDC312E8427618NOSA1
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : MOD IGBT STACK PSAO-1
Sērija : *
Daļas statuss : Active
IGBT tips : -
Konfigurācija : -
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : -
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : -
Jauda - maks : -
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : -
Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : -
Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : -
Ievade : -
NTC termistors : -
Darbības temperatūra : -
Montāžas tips : -
Iepakojums / lieta : -
Piegādātāja ierīces pakete : -

Jūs varētu arī interesēt
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.