Vishay Siliconix - SIHU6N65E-GE3

KEY Part #: K6419363

SIHU6N65E-GE3 Cenas (USD) [107279gab krājumi]

  • 1 pcs$0.78603
  • 10 pcs$0.70826
  • 100 pcs$0.56916
  • 500 pcs$0.44267
  • 1,000 pcs$0.34695

Daļas numurs:
SIHU6N65E-GE3
Ražotājs:
Vishay Siliconix
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 650V 6A IPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Diodes - Zener - masīvi, Strāvas draivera moduļi, Tranzistori - IGBT - Masīvi and Tranzistori - īpašam nolūkam ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Siliconix SIHU6N65E-GE3 electronic components. SIHU6N65E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHU6N65E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHU6N65E-GE3 Produkta atribūti

Daļas numurs : SIHU6N65E-GE3
Ražotājs : Vishay Siliconix
Apraksts : MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
Sērija : -
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 650V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 7A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 48nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±30V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 820pF @ 100V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 78W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete : IPAK (TO-251)
Iepakojums / lieta : TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

Jūs varētu arī interesēt