RSFALHMTG Cenas (USD) [1948362gab krājumi]
- 1 pcs$0.01898
- Daļas numurs:
- RSFALHMTG
- Ražotājs:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 50V 500MA SUB SMA.
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tiristori - SCR - moduļi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - IGBT - moduļi, Diodes - taisngrieži - vienreizēji and Diodes - Zener - Single ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation RSFALHMTG electronic components. RSFALHMTG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RSFALHMTG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RSFALHMTG Produkta atribūti
Daļas numurs :
RSFALHMTG
Ražotājs :
Taiwan Semiconductor Corporation
Apraksts :
DIODE GEN PURP 50V 500MA SUB SMA
Sērija :
Automotive, AEC-Q101
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
50V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
500mA
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.3V @ 500mA
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
150ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
5µA @ 50V
Kapacitāte @ Vr, F :
4pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
DO-219AB
Piegādātāja ierīces pakete :
Sub SMA
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 150°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
-
NSB8JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
NSB8KT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB. Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
NSB8MT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
NSB8JT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3
-
MBRB10H100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM
Karstās daļas
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18