IDC40D120T6MX1SA4 Cenas (USD) [15407gab krājumi]
- 1 pcs$2.67505
- Daļas numurs:
- IDC40D120T6MX1SA4
- Ražotājs:
- Infineon Technologies
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER.
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tiristori - TRIAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Diodes - tilta taisngrieži, Diodes - taisngrieži - vienreizēji and Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji) ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Infineon Technologies IDC40D120T6MX1SA4 electronic components. IDC40D120T6MX1SA4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDC40D120T6MX1SA4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDC40D120T6MX1SA4 Produkta atribūti
Daļas numurs :
IDC40D120T6MX1SA4
Ražotājs :
Infineon Technologies
Apraksts :
DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER
Sērija :
-
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
1200V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
75A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
2.05V @ 75A
Ātrums :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
-
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
14µA @ 1200V
Kapacitāte @ Vr, F :
-
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
Die
Piegādātāja ierīces pakete :
Sawn on foil
Darba temperatūra - krustojums :
-40°C ~ 175°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
MMBD1501A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
BAS29
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
-
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
Karstās daļas
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08