Infineon Technologies - AUIRF7379QTR

KEY Part #: K6525194

AUIRF7379QTR Cenas (USD) [122905gab krājumi]

  • 1 pcs$0.30094
  • 4,000 pcs$0.28626

Daļas numurs:
AUIRF7379QTR
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - īpašam nolūkam and Diodes - tilta taisngrieži ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies AUIRF7379QTR electronic components. AUIRF7379QTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRF7379QTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRF7379QTR Produkta atribūti

Daļas numurs : AUIRF7379QTR
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Sērija : HEXFET®
Daļas statuss : Active
FET tips : N and P-Channel
FET iezīme : Logic Level Gate
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 30V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 5.8A, 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 3V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 25nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 520pF @ 25V
Jauda - maks : 2.5W
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Piegādātāja ierīces pakete : 8-SO

Jūs varētu arī interesēt
  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY1002PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.

  • IRF7509TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8.

  • SI6913DQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP.

  • DMN2016UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP.

  • SP8J5TB

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC.