Vishay Siliconix - SI3850ADV-T1-GE3

KEY Part #: K6524098

[3944gab krājumi]


    Daļas numurs:
    SI3850ADV-T1-GE3
    Ražotājs:
    Vishay Siliconix
    Detalizēts apraksts:
    MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6-TSOP.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tranzistori - programmējams atvienojums, Diodes - taisngrieži - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - īpašam nolūkam and Diodes - tilta taisngrieži ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in Vishay Siliconix SI3850ADV-T1-GE3 electronic components. SI3850ADV-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3850ADV-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI3850ADV-T1-GE3 Produkta atribūti

    Daļas numurs : SI3850ADV-T1-GE3
    Ražotājs : Vishay Siliconix
    Apraksts : MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6-TSOP
    Sērija : TrenchFET®
    Daļas statuss : Obsolete
    FET tips : N and P-Channel, Common Drain
    FET iezīme : Logic Level Gate
    Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 20V
    Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 1.4A, 960mA
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 500mA, 4.5V
    Vgs (th) (Maks.) @ ID : 1.5V @ 250µA
    Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 1.4nC @ 4.5V
    Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Jauda - maks : 1.08W
    Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montāžas tips : Surface Mount
    Iepakojums / lieta : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    Piegādātāja ierīces pakete : 6-TSOP