Diodes Incorporated - DMTH6004SCT

KEY Part #: K6393815

DMTH6004SCT Cenas (USD) [52836gab krājumi]

  • 1 pcs$0.85711
  • 50 pcs$0.68986
  • 100 pcs$0.62088
  • 500 pcs$0.48291
  • 1,000 pcs$0.40012

Daļas numurs:
DMTH6004SCT
Ražotājs:
Diodes Incorporated
Detalizēts apraksts:
MOSFET 60V 100A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - IGBT - moduļi, Diodes - tilta taisngrieži, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji) and Diodes - Zener - masīvi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Diodes Incorporated DMTH6004SCT electronic components. DMTH6004SCT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH6004SCT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH6004SCT Produkta atribūti

Daļas numurs : DMTH6004SCT
Ražotājs : Diodes Incorporated
Apraksts : MOSFET 60V 100A TO220-3
Sērija : -
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 60V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.65 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 95.4nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 4556pF @ 30V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 2.8W (Ta), 136W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips : Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete : TO-220-3
Iepakojums / lieta : TO-220-3

Jūs varētu arī interesēt
  • DMP2035UVTQ-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26.

  • FDD5670

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK.

  • FDD24AN06LA0-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 40A TO-252.

  • FDD5680

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 8.5A D-PAK.

  • IRFIBC40G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP.

  • IRFI820G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP.