Infineon Technologies - FP75R12KT4B11BOSA1

KEY Part #: K6533570

FP75R12KT4B11BOSA1 Cenas (USD) [619gab krājumi]

  • 1 pcs$74.99268

Daļas numurs:
FP75R12KT4B11BOSA1
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
IGBT MODULE 1200V 75A.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Diodes - tilta taisngrieži and Diodes - RF ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies FP75R12KT4B11BOSA1 electronic components. FP75R12KT4B11BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FP75R12KT4B11BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FP75R12KT4B11BOSA1 Produkta atribūti

Daļas numurs : FP75R12KT4B11BOSA1
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : IGBT MODULE 1200V 75A
Sērija : -
Daļas statuss : Active
IGBT tips : Trench Field Stop
Konfigurācija : Three Phase Inverter
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 1200V
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : 75A
Jauda - maks : 385W
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 75A
Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : 1mA
Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : 4.3nF @ 25V
Ievade : Standard
NTC termistors : Yes
Darbības temperatūra : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Chassis Mount
Iepakojums / lieta : Module
Piegādātāja ierīces pakete : Module

Jūs varētu arī interesēt
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-GP250SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 380A 893W SOT-227.

  • VS-GT105NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227.

  • VS-GT105LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.