Vishay Siliconix - SIHU7N60E-E3

KEY Part #: K6419154

SIHU7N60E-E3 Cenas (USD) [94560gab krājumi]

  • 1 pcs$0.41557
  • 3,000 pcs$0.41351

Daļas numurs:
SIHU7N60E-E3
Ražotājs:
Vishay Siliconix
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 600V 7A TO-251.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - Zener - Single, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tiristori - TRIAC, Tiristori - SCR, Tranzistori - IGBT - moduļi and Tranzistori - īpašam nolūkam ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Siliconix SIHU7N60E-E3 electronic components. SIHU7N60E-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHU7N60E-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHU7N60E-E3 Produkta atribūti

Daļas numurs : SIHU7N60E-E3
Ražotājs : Vishay Siliconix
Apraksts : MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
Sērija : -
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 600V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 7A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 40nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±30V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 680pF @ 100V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 78W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete : TO-251
Iepakojums / lieta : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA