Infineon Technologies - IPD33CN10NGATMA1

KEY Part #: K6420494

IPD33CN10NGATMA1 Cenas (USD) [201554gab krājumi]

  • 1 pcs$0.18351
  • 2,500 pcs$0.16086

Daļas numurs:
IPD33CN10NGATMA1
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - JFET, Tranzistori - FET, MOSFET - RF and Tranzistori - IGBT - moduļi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies IPD33CN10NGATMA1 electronic components. IPD33CN10NGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD33CN10NGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD33CN10NGATMA1 Produkta atribūti

Daļas numurs : IPD33CN10NGATMA1
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Sērija : OptiMOS™
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 100V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 27A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 29µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 24nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 1570pF @ 50V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 58W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : PG-TO252-3
Iepakojums / lieta : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Jūs varētu arī interesēt