Diodes Incorporated - US1M-13-F

KEY Part #: K6458067

US1M-13-F Cenas (USD) [1000228gab krājumi]

  • 1 pcs$0.03716
  • 5,000 pcs$0.03698
  • 10,000 pcs$0.03372
  • 25,000 pcs$0.03154
  • 50,000 pcs$0.02828

Daļas numurs:
US1M-13-F
Ražotājs:
Diodes Incorporated
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA. Rectifiers 1000V 1A
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tiristori - DIAC, SIDAC, Strāvas draivera moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tiristori - SCR - moduļi and Tranzistori - FET, MOSFET - RF ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Diodes Incorporated US1M-13-F electronic components. US1M-13-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for US1M-13-F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

US1M-13-F Produkta atribūti

Daļas numurs : US1M-13-F
Ražotājs : Diodes Incorporated
Apraksts : DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 1000V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 1A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 1A
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 75ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 5µA @ 1000V
Kapacitāte @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : DO-214AC, SMA
Piegādātāja ierīces pakete : SMA
Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 150°C

Jūs varētu arī interesēt
  • BYM07-400-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns

  • GL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34J-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM