[20149gab krājumi]
- Daļas numurs:
- K4A8G045WB-BCTD
- Ražotājs:
- Samsung Semiconductor
- Detalizēts apraksts:
- 8 Gb 2G x 4 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: HBM Flarebolt, LPDDR4, MODULE, SLC Nand, GDDR5, DDR4, LPDDR4X and DDR3 ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Samsung Semiconductor K4A8G045WB-BCTD electronic components. K4A8G045WB-BCTD can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4A8G045WB-BCTD, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
K4A8G045WB-BCTD Produkta atribūti
Daļas numurs :
K4A8G045WB-BCTD
Ražotājs :
Samsung Semiconductor
Apraksts :
8 Gb 2G x 4 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
Sērija :
DDR4
blīvums :
8 Gb
Org. :
2G x 4
ātrums :
2666 Mbps
spriegums :
1.2 V
Temp. :
0 ~ 85 °C
paka :
78FBGA
Preces statuss :
Mass Production
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
-
-
K4A4G085WE-BITD
Samsung Semiconductor
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
-
K4A4G085WF-BCTD
Samsung Semiconductor
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
-
-
K4A4G165WE-BCWE
Samsung Semiconductor
4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.