Infineon Technologies - FD150R12RT4HOSA1

KEY Part #: K6532517

FD150R12RT4HOSA1 Cenas (USD) [1637gab krājumi]

  • 1 pcs$26.44980

Daļas numurs:
FD150R12RT4HOSA1
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
IGBT MODULE 1200V 150A.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - JFET, Tranzistori - īpašam nolūkam, Diodes - RF, Tiristori - SCR, Tranzistori - programmējams atvienojums, Diodes - taisngrieži - masīvi and Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies FD150R12RT4HOSA1 electronic components. FD150R12RT4HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FD150R12RT4HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FD150R12RT4HOSA1 Produkta atribūti

Daļas numurs : FD150R12RT4HOSA1
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : IGBT MODULE 1200V 150A
Sērija : C
Daļas statuss : Active
IGBT tips : Trench Field Stop
Konfigurācija : Single Chopper
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 1200V
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : 150A
Jauda - maks : 790W
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 150A
Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : 1mA
Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : 9.3nF @ 25V
Ievade : Standard
NTC termistors : No
Darbības temperatūra : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Chassis Mount
Iepakojums / lieta : Module
Piegādātāja ierīces pakete : Module

Jūs varētu arī interesēt
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.