Infineon Technologies - IPG20N04S412AATMA1

KEY Part #: K6525326

IPG20N04S412AATMA1 Cenas (USD) [194417gab krājumi]

  • 1 pcs$0.19025
  • 5,000 pcs$0.17457

Daļas numurs:
IPG20N04S412AATMA1
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
MOSFET 2N-CH 8TDSON.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - Zener - masīvi, Tiristori - TRIAC, Tiristori - SCR, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Diodes - taisngrieži - masīvi, Diodes - taisngrieži - vienreizēji and Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies IPG20N04S412AATMA1 electronic components. IPG20N04S412AATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPG20N04S412AATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPG20N04S412AATMA1 Produkta atribūti

Daļas numurs : IPG20N04S412AATMA1
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : MOSFET 2N-CH 8TDSON
Sērija : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Daļas statuss : Active
FET tips : 2 N-Channel (Dual)
FET iezīme : Standard
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 40V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 15µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 18nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 1470pF @ 25V
Jauda - maks : 41W
Darbības temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : 8-PowerVDFN
Piegādātāja ierīces pakete : PG-TDSON-8-10