Vishay Siliconix - SIA483DJ-T1-GE3

KEY Part #: K6417395

SIA483DJ-T1-GE3 Cenas (USD) [498647gab krājumi]

  • 1 pcs$0.07455
  • 3,000 pcs$0.07418

Daļas numurs:
SIA483DJ-T1-GE3
Ražotājs:
Vishay Siliconix
Detalizēts apraksts:
MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tiristori - SCR, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tiristori - TRIAC, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Strāvas draivera moduļi, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi and Tranzistori - FET, MOSFET - RF ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Siliconix SIA483DJ-T1-GE3 electronic components. SIA483DJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA483DJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA483DJ-T1-GE3 Produkta atribūti

Daļas numurs : SIA483DJ-T1-GE3
Ražotājs : Vishay Siliconix
Apraksts : MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
Sērija : TrenchFET®
Daļas statuss : Active
FET tips : P-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 30V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 2.2V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 45nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 1550pF @ 15V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : PowerPAK® SC-70-6 Single
Iepakojums / lieta : PowerPAK® SC-70-6

Jūs varētu arī interesēt
  • AUIRLS3034-7TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 380A D2PAK-7P.

  • FQD10N20CTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK.

  • IRLR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • FQD5P20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK.

  • IRFR6215TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • TK12A80W,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS.