Toshiba Semiconductor and Storage - TK17E80W,S1X

KEY Part #: K6398444

TK17E80W,S1X Cenas (USD) [22265gab krājumi]

  • 1 pcs$2.03603
  • 50 pcs$1.63614
  • 100 pcs$1.49067
  • 500 pcs$1.20708
  • 1,000 pcs$0.96581

Daļas numurs:
TK17E80W,S1X
Ražotājs:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - taisngrieži - masīvi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Diodes - Zener - Single, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji) and Tranzistori - programmējams atvienojums ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK17E80W,S1X electronic components. TK17E80W,S1X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK17E80W,S1X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK17E80W,S1X Produkta atribūti

Daļas numurs : TK17E80W,S1X
Ražotājs : Toshiba Semiconductor and Storage
Apraksts : MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
Sērija : DTMOSIV
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 800V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 17A (Ta)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 290 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 850µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 32nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 2050pF @ 300V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 180W (Tc)
Darbības temperatūra : 150°C
Montāžas tips : Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete : TO-220
Iepakojums / lieta : TO-220-3

Jūs varētu arī interesēt
  • TN2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3.

  • VP0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3.

  • TN0610N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3.

  • VN0606L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3.

  • VP0808L-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 80V 0.28A TO92-3.

  • IPA093N06N3GXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31.