Daļas numurs :
TK17E80W,S1X
Ražotājs :
Toshiba Semiconductor and Storage
Apraksts :
MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
Tehnoloģijas :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) :
800V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C :
17A (Ta)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
290 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID :
4V @ 850µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs :
32nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds :
2050pF @ 300V
Jaudas izkliede (maks.) :
180W (Tc)
Darbības temperatūra :
150°C
Montāžas tips :
Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete :
TO-220
Iepakojums / lieta :
TO-220-3