RSFJL RVG Cenas (USD) [1387763gab krājumi]
- 1 pcs$0.02665
- Daļas numurs:
- RSFJL RVG
- Ražotājs:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA. Rectifiers 250ns0.5A 600V Fast Recov Rectifier
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - SCR - moduļi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Diodes - tilta taisngrieži, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi and Tiristori - TRIAC ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation RSFJL RVG electronic components. RSFJL RVG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RSFJL RVG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RSFJL RVG Produkta atribūti
Daļas numurs :
RSFJL RVG
Ražotājs :
Taiwan Semiconductor Corporation
Apraksts :
DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Sērija :
-
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
600V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
500mA
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.3V @ 500mA
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
500ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
5µA @ 600V
Kapacitāte @ Vr, F :
4pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
DO-219AB
Piegādātāja ierīces pakete :
Sub SMA
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 150°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
BAS20-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 200V
-
MMBD6050
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
-
-
1SS196(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High
-
-
Karstās daļas
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08