TSP20U60S S1G Cenas (USD) [236356gab krājumi]
- 1 pcs$0.15649
- Daļas numurs:
- TSP20U60S S1G
- Ražotājs:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Detalizēts apraksts:
- DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO277A.
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Diodes - tilta taisngrieži, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Diodes - taisngrieži - masīvi, Diodes - taisngrieži - vienreizēji and Tranzistori - FET, MOSFET - RF ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSP20U60S S1G electronic components. TSP20U60S S1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSP20U60S S1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TSP20U60S S1G Produkta atribūti
Daļas numurs :
TSP20U60S S1G
Ražotājs :
Taiwan Semiconductor Corporation
Apraksts :
DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO277A
Sērija :
-
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Schottky
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
60V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
20A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
580mV @ 20A
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
-
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
500µA @ 60V
Kapacitāte @ Vr, F :
-
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
TO-277, 3-PowerDFN
Piegādātāja ierīces pakete :
TO-277A (SMPC)
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 150°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
-
BAS16E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
-
-
CMDD6001 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
VS-5EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns
-
1N4150W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
Karstās daļas
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18