Vishay Semiconductor Diodes Division - ES07D-GS18

KEY Part #: K6455733

ES07D-GS18 Cenas (USD) [795249gab krājumi]

  • 1 pcs$0.04651
  • 10,000 pcs$0.04215
  • 30,000 pcs$0.03876

Daļas numurs:
ES07D-GS18
Ražotājs:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO219. Rectifiers 200 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - SCR - moduļi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tiristori - TRIAC, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - JFET and Diodes - Zener - Single ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES07D-GS18 electronic components. ES07D-GS18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES07D-GS18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES07D-GS18 Produkta atribūti

Daļas numurs : ES07D-GS18
Ražotājs : Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts : DIODE GEN PURP 200V 500MA DO219
Sērija : Automotive, AEC-Q101
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 200V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 500mA
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 980mV @ 1A
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 25ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 10µA @ 200V
Kapacitāte @ Vr, F : 4pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : DO-219AB
Piegādātāja ierīces pakete : DO-219AB (SMF)
Darba temperatūra - krustojums : -55°C ~ 150°C

Jūs varētu arī interesēt
  • BAS16-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300mA 100V

  • BAT54E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS16E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A

  • DB3X317K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A MINI3.

  • CMDSH-4E TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers Enh Spec Schottky 40Vrrm 200mA 250mW

  • VS-5EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns